Datasheet 2SC5369 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	2SC5369	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFICATION PRELIMINARY DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5369 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES • High f T 14 GHz TYP. • High gain \| S 21 e \| 2 = 14 dB TYP. • NF = 1.3 dB, @f = 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 3 mA • 6-pin small mini mold package @f = 2 GHz, V CE = 3 V, IC =	NEC

2SC5 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
2SC5200	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) 2SC5200 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5200 Power Amplifier Applications Unit: mm • • • High breakdown voltage: VCEO = 230 V (min) Complementary to 2SA1943 Suitable for use in 100-W high fidelity audio amplifier’s output stage Maximum Ratings (Tc	Toshiba Semiconductor
2SC5936	Transistor 2SC5936 Information SI-N 1500/700V 9A 45W 0.2uS - Transistor Spec.info: TOP-3E-A1 Funkció: Hi-res (F) Gyártó: -PAN Spec.info: 100Hz TV	ETC
2SC5929	Silicon Transistor	ETC

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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