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Datasheet 2SC4213 Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
2 2SC4213   Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC4213 2SC4213 For Muting and Switching Applications Unit: mm • High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −4 mA) • Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB =
Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
datasheet 2SC4213 pdf
1 2SC4213   Silicon NPN Epitaxial

SMD Type Silicon NPN Epitaxial 2SC4213 Features High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min). High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = -2 V, IC = -4 mA). Low on resistance: RON = 1Ù (typ.) (IB = 5 mA). High DC current gain: hFE = 200 1200. Small package. Transistors IC 1 Emitter 2 Base 3
Kexin
Kexin
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Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

Sanken
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