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Datasheet 2SB806 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 3 | 2SB806 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
 NEC |
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| 2 | 2SB806 | Transistor SMD Type
PNP Silicon Epitaxial Transistor 2SB806
Transistors
Features
High collector to emitter voltage: VCEO -120V.
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current (pulse) *1 Collector power diss |
 Kexin |
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| 1 | 2SB806 | Transistor Product specification
2SB806
SOT- 89 4.50¡À0.1 1.80¡À0.1 2 .5 0 ¡À 0 .1 4 .0 0 ¡À 0 .1 ¡ö Unit:mm 1.50 ¡À0.1
Features
1 2 3
¡ñ High collector to emitter voltage: VCEO£¾-120V.
0 .8 0 ¡À 0 .1
0.44¡À0.1 2 .6 0 ¡À 0 .1 0 .4 0 ¡À 0 .1 1.Base 2.Collector 3.Emitter
Min
0.48¡ |
 TY Semiconductor |
|
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[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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