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F0118G Hoja de datos ( Datasheet )


F0118G Datasheet ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 F0118G   GaAs Infrared Emitting Diode

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2 • Emissionswellenlänge: 950 nm • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen • Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit Anwendungen • IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern • Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb
OSRAM
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datasheet F0118G pdf

F0118 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
F0118G

GaAs Infrared Emitting Diode

OSRAM
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F0118J

GaAs Infrared Emitting Diode

OSRAM
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Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

Sanken
Sanken
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TD357EG

This electronic part is N-Channel Enhancement Mode MOSFET.

UNIKC
UNIKC
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TD381BA

This electronic part is N-Channel Enhancement Mode MOSFET.

UNIKC
UNIKC
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UTC2SC1384

The UTC 2SC1384 is power amplifier and driver.

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
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