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Número de pieza | 1SS226 | |
Descripción | DIODE | |
Fabricantes | WEJ | |
Logotipo | ||
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1SS226 SWITCHING DIODE
SOT-23 Plastic-Encapsulate DIODE
DFeatures
TPower dissipation
PD : 150 mW (Tamb=25oC)
.,LForward Current
IF : 100 mA
Reverse Voltage
VR : 80V
OOperating and storage junction temperature range
Tj, Tstg : -55 oC to +150 oC
1
1.
2.4
1.3
SOT-23
3
2
ONIC CMarking:C3
Unit:mm
TRELECTRICAL CHARACTERISTICS
o
C(Ta=25 C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
EReverse breakdown voltage
V(BR)
LReverse Voltage leakage current
IR
EForward Voltage
JDiode Capacitance
WEReverse Recovery Time
VF
Ctot
trr
Test Condition
IR=100 A
VR=80V
IF=100mA
VR=0V f=1MHz
IF=IR=10mA
Irr=0.1IR
MIN. MAX. Unit
80 V
0.5 A
1.2 V
3 pF
4 nS
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PDF Descargar | [ Datasheet 1SS226.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
1SS220 | (1SS220 / 1SS221) SILICON SWITCHING DIODES | NEC |
1SS226 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Toshiba Semiconductor |
1SS226 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | SEMTECH |
1SS226 | Switching Diodes | LGE |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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