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PDF BCX20LT1 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BCX20LT1 | |
| Descripción | NPN TRANSISTOR | |
| Fabricantes | WEJ | |
| Logotipo |  |
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RoHS
BCX20LT1
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25
Characteristic
Symbol Rating
Unit
Collector-Base Voltage
Vcbo
30
V
Collector-Emitter Voltage
Vceo
25
V
Emitter-Base Voltage
Vebo
5.0
V
Collector Current
Ic 500
mA
Total Device Dissipation
FR-5 Board(1) Ta=25
PD 225
mw
Derate above 25
1.8 mW/
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) Ta=25
Derate above 25
Junction Temperature
ICStorage Temperature
PD 300
2.4
Tj 150
Tstg -55-150
mw
mW/
NELECTRICAL CHARACTERISTICS at Ta=25
Characteristic
Symbol Min Typ Max Unit
OCollector-Base Voltage
V(BR)ceo 25
V
Collector-Emitter Voltage
V(BR)ces 30
V
REmitter Cutoff Current
Iebo 10 uA
TCollector Cutoff Current
Icbo
ECDC Current Gain
LCollector-Emitter Saturation Voltage
HFE
Vce(sat)
100
70
40
100 nA
5.0 uA
600
620 mV
Base-Emitter Saturation Voltage
Vbe(on)
E* 1.Total Device Dissipation : FR=1X0.75X0.062in .
2.Alumina=0.4 X 0.3 X 0.024in.99.5% alumina
1.2
V
JDEVICE MARKING:
WEBCX20LT1=U2
CO.,LTD1.
2.4
1.3
1 . G AT E
2.SOURCER
3.DRAIE
Unit:mm
Test Conditions
Ic=10mA Ib=0
Ic=10uA Ic=0
Veb=5V Ic=0
Vcb=20V Ie=0
Vcb=20V Ie=0 TA=150
Vce=1.0V Ic=-100mA
Vce=1.0V Ic=-300mA
Vce=1.0V Ic=-500mA
Ic=-500mA Ib=-50mA
Vbe=1V Ic=500mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BCX20LT1 | General Purpose Transistors |  Motorola Inc |
| BCX20LT1 | General Purpose Transistors |  Leshan Radio Company |
| BCX20LT1 | NPN TRANSISTOR | WEJ |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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