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PDF C5147 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza C5147
Descripción NPN silicon Transistor
Fabricantes FGX　
Logotipo FGX Logotipo



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No Preview Available ! C5147 Hoja de datos, Descripción, Manual

■■APPLICATION：FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION,
C5147
—NPN silicon —
■■MAXIMUM RATINGS（Ta＝25℃）
PARAMETER
SYMBOLRATING UNIT
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector Power Dissipation (Ta=25℃)
Collector Power Dissipation (Tc=25℃)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
VCBO
300 V
VCEO
300 V
VEBO
5V
IC 100 mA
PC 2 W
PC 10 W
TJ 150 ℃
Tstg ﹣55~150 ℃
1 TO-220
1.Base 2.Collector 3.Emitter
■■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS （Ta=25℃）
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT
TEST CONDITION
DC Current Gain
hFE 60 200 VCE=10 V，Ic=10 mA
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Gain bandwidth product
Common Base Output Capacitance
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(sat)
fT
Cob
0.5 µA VCB= 200V，IE=0
0.5 µA VEB= 4V，Ic=0
300 V Ic= 0.05mA，IE=0
300 V Ic=0.1 mA，IB=0
5 V IE=0.05 mA，Ic=0
0.2 1 V Ic=50 mA，IB= 5mA
50 100
MHz VCE= 30V，IE=-20 mA，f=30MHz
3 PF VCB= 30V, IE=0, f = 1MHz
■■hFE Classification And Marking
Print Mark
C5147
Classification
D
hFE 100-150
E
150-200

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
C5142NPN Transistor - 2SC5142Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
C5143NPN Transistor - 2SC5143Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
C5144NPN Transistor - 2SC5144Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
C5147NPN silicon TransistorFGX
FGX

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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