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PDF KDS187 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | KDS187 | |
| Descripción | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
| Fabricantes | KEC | |
| Logotipo |  |
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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
Small Package : SOT-23.
Low Forward Voltag : VF=0.92V(Typ.).
Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.).
Small Total Capacitance : CT=2.2pF(Typ.).
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Maximum (Peak) Reverse Voltage
Reverse Voltage
Maximum (Peak) Forward Current
Average Forward Current
Surge Current (10ms)
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
VRM
VR
IFM
IO
IFSM
PD
Tj
Tstg
RATING
85
80
300
100
2
150
150
-55 150
UNIT
V
V
mA
mA
A
mW
KDS187
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
E
L BL
DIM MILLIMETERS
A 2.93+_ 0.20
B 1.30+0.20/-0.15
23
C 1.30 MAX
D 0.40+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
1 G 1.90
H 0.95
J 0.13+0.10/-0.05
K 0.00 ~ 0.10
Q
PP
L 0.55
M 0.20 MIN
N 1.00+0.20/-0.10
P7
Q 0.1 MAX
M
1. NC
2. CATHODE
3. ANODE
3
21
SOT-23
Marking
D3Type Name
Lot No.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Forward Voltage
Reverse Current
Total Capacitance
Reverse Recovery Time
VF(1)
VF(2)
VF(3)
IR
CT
trr
TEST CONDITION
IF=1mA
IF=10mA
IF=100mA
VR=80V
VR=0, f=1MHz
IF=10mA
MIN.
-
-
-
-
-
-
TYP.
0.61
0.74
0.92
-
2.2
1.6
MAX.
-
-
1.20
0.5
4.0
4.0
UNIT
V
A
pF
nS
2011. 12. 23
Revision No : 2
1/2
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| PDF Descargar | [ Datasheet KDS187.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| KDS181 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) | .gif){kind=logo} KEC(Korea Electronics) |
| KDS181 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | KEC |
| KDS184 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) | KEC(Korea Electronics) |
| KDS184 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | KEC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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