(PDF) KDV350E Datasheet - SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

Número de pieza	KDV350E
Descripción	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
Fabricantes	KEC
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No Preview Available ! SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA VCO. FEATURES Low Series Resistance : rS=0.50 (Max.) Small Package. (ESC Package) KDV350E VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE CE 1 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL Reverse Voltage Junction Temperature VR Tj Storage Temperature Range Tstg RATING 15 150 -55 150 UNIT V 2 D 1. ANODE 2. CATHODE F DIM A B C D E F G MILLIMETERS 1.60 +_0.10 1.20 +_0.10 0.80 +_0.10 0.30+_ 0.05 0.60+_ 0.10 0.13+_ 0.05 0.20+_ 0.10 ESC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL Reverse Voltage Reverse Current Capacitance VR IR C1V C4V Capacitance Ratio K Series Resistance rS TEST CONDITION IR=1 A VR=15V VR=1V, f=1MHz VR=4V, f=1MHz C1V/C4V, f=1MHz VR=1V, f=470MHz MIN. 15 - 15.0 5.3 2.8 - TYP. - - - - - - MAX. - 10 17.5 6.3 - 0.5 UNIT V nA pF Marking Type Name UK 2014. 3. 31 Revision No : 1 1/2 1 page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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