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PDF KTC3295 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | KTC3295 | |
| Descripción | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR | |
| Fabricantes | KEC | |
| Logotipo |  |
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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION.
FEATURE
High hFE : hFE=600 3600.
Noise Figure : 0.5dB(Typ.) at f=100Hz.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
VCBO
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Base Current
IB
Collector Power Dissipation
PC
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
RATING
60
50
5
150
30
150
150
-55 150
UNIT
V
V
V
mA
mA
mW
KTC3295
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
E
L BL
DIM MILLIMETERS
A 2.93+_ 0.20
B 1.30+0.20/-0.15
23
C 1.30 MAX
D 0.40+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
1 G 1.90
H 0.95
J 0.13+0.10/-0.05
K 0.00 ~ 0.10
Q
PP
L 0.55
M 0.20 MIN
N 1.00+0.20/-0.10
P7
Q 0.1 MAX
M
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
Marking
hFE Rank
TType Name
Lot No.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
ICBO
IEBO
hFE (Note)
VCE(sat)
fT
Cob
Noise Figure
NF (1)
NF (2)
Note : hFE Classification A:600 1800 , B:1200 3600
TEST CONDITION
VCB=50V, IE=0
VEB=5V, IC=0
VCE=6V, IC=2mA
IC=100mA, IB=10mA
VCE=10V, IC=10mA
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
VCE=6V, IC=0.1mA,
f=100Hz, Rg=10k
VCE=6V, IC=0.1mA,
f=1kHz, Rg=10k
2002. 4. 9
Revision No : 3
MIN.
-
-
600
-
100
-
TYP. MAX. UNIT
- 0.1
A
- 0.1
A
- 3600
0.12 0.25
V
250 - MHz
3.5 - pF
- 0.5 -
dB
- 0.3 -
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| KTC3295 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW NOISE AMPLIFIER) | .gif){kind=logo} KEC(Korea Electronics) |
| KTC3295 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR | KEC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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