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PDF D2118 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza D2118
Descripción 2SD2118
Fabricantes ROHM Semiconductor 
Logotipo ROHM Semiconductor Logotipo



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Low VCE(sat) transistor (strobe flash)
2SD2118
zFeatures
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.25V (Typ.)
(IC/IB = 4A / 0.1A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SB1412.
zDimensions (Unit : mm)
2SD2118
zStructure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Collector-base voltage
VCBO
50
Collector-emitter voltage
VCEO
20
Emitter-base voltage
VEBO
6
Collector current
IC 5
ICP 10
Collector power
dissipation
2SD2118
Junction temperature
PC
Tj
1
10
150
Storage temperature
Tstg
55 to +150
1 Single pulse Pw=10ms
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse) 1
W
W(Tc=25°C)
°C
°C
Denotes hFE
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
zElectrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Symbol Min.
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Measured using pulse current.
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
50
20
6
120
Typ.
0.3
150
35
Max.
0.5
0.5
1.0
390
Unit
V
V
V
µA
µA
V
MHz
pF
Conditions
IC=50µA
IC=1mA
IE=50µA
VCB=40V
VEB=5V
IC/IB=4A/0.1A
VCE=2V, IC=0.5A
VCE=6V, IE=−50mA, f=100MHz
VCE=20V, IE=0A, f=1MHz
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/3
2009.11 - Rev.C

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
D21102SD2110Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
D21112SD2111Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
D2114(D2114 / D2115) RAMIntel
Intel
D2115(D2114 / D2115) RAMIntel
Intel

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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