(PDF) IDW32G65C5B Datasheet - Silicon Carbide Diode

Número de pieza	IDW32G65C5B
Descripción	Silicon Carbide Diode
Fabricantes	Infineon
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No Preview Available ! SiC Silicon Carbide Diode 5th Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode IDW32G65C5B Final Datasheet Rev. 2.0, 2015-04-13 Power Management & Multimarket 1 page 5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode IDW32G65C5B Electrical characteristics Electrical characteristics Table 5 Parameter Static characteristics Symbol DC blocking voltage 1) Diode forward voltage 1) VDC VF Reverse current 1) IR Table 6 Parameter AC characteristics Symbol Total capacitive charge 1) Total Capacitance 1) Qc C Min. 650 – – – – – Values Typ. – 1.5 1.8 0.8 0.2 3.2 Max. – 1.7 2.1 200 71 1400 Unit V µA Note/Test Condition Tj=25°C IF= 16 A, Tj=25°C IF= 16 A, Tj=150°C VR=650 V, Tj=25°C VR=600 V, Tj=25°C VR=650 V, Tj=150°C Min. – – – – Values Typ. 23 470 61 60 Max. – – – Unit Note/Test Condition nC VR=400 V, di/dt=200A/µs, IF≤IF,MAX, Tj=150°C VR=1 V, f=1 MHz pF VR=300 V, f=1 MHz VR=600 V, f=1 MHz 1) Per Leg 2) Per Device Final Datasheet 5 Rev. 2.0, 2015-04-13 5 Page www.infineon.com Published by Infineon Technologies AG 11 Page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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