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PDF IPP083N10N5 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IPP083N10N5 | |
| Descripción | MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | Infineon | |
| Logotipo |  |
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MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
OptiMOSTM
OptiMOSª5Power-Transistor,100V
IPP083N10N5
DataSheet
Rev.2.0
Final
PowerManagement&Multimarket
1 page  
OptiMOSª5Power-Transistor,100V
IPP083N10N5
4Electricalcharacteristics
Table4Staticcharacteristics
Parameter
Symbol
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Gate resistance1)
Transconductance
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(on)
RG
gfs
Min.
100
2.2
-
-
-
-
-
-
48
Values
Typ. Max.
--
3.0 3.8
0.1 1
10 100
1 100
7.3 8.3
8.9 11.0
1.2 1.8
96 -
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,ID=1mA
V VDS=VGS,ID=49µA
µA
VDS=100V,VGS=0V,Tj=25°C
VDS=100V,VGS=0V,Tj=125°C
nA VGS=20V,VDS=0V
mΩ
VGS=10V,ID=73A
VGS=6V,ID=37A
Ω-
S |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=73A
Table5Dynamiccharacteristics1)
Parameter
Symbol
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Ciss
Coss
Crss
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
2100 2730
337 438
16 28
13 -
5-
21 -
5-
Unit Note/TestCondition
pF VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz
ns
VDD=50V,VGS=10V,ID=73A,
RG,ext=1.6Ω
ns
VDD=50V,VGS=10V,ID=73A,
RG,ext=1.6Ω
ns
VDD=50V,VGS=10V,ID=73A,
RG,ext=1.6Ω
ns
VDD=50V,VGS=10V,ID=73A,
RG,ext=1.6Ω
Table6Gatechargecharacteristics2)
Parameter
Symbol
Gate to source charge
Gate to drain charge1)
Switching charge
Gate charge total1)
Gate plateau voltage
Output charge1)
Qgs
Qgd
Qsw
Qg
Vplateau
Qoss
Min.
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
11 -
6.5 10
11 -
30 37
5.2 -
40 53
Unit Note/TestCondition
nC VDD=50V,ID=73A,VGS=0to10V
nC VDD=50V,ID=73A,VGS=0to10V
nC VDD=50V,ID=73A,VGS=0to10V
nC VDD=50V,ID=73A,VGS=0to10V
V VDD=50V,ID=73A,VGS=0to10V
nC VDD=50V,VGS=0V
1) Defined by design. Not subject to production test.
2) See ″Gate charge waveforms″ for parameter definition
Final Data Sheet
5
Rev.2.0,2014-12-17
5 Page 
6PackageOutlines
OptiMOSª5Power-Transistor,100V
IPP083N10N5
Figure1OutlinePG-TO220-3,dimensionsinmm/inches
Final Data Sheet
11
Rev.2.0,2014-12-17
11 Page | ||
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| PDF Descargar | [ Datasheet IPP083N10N5.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IPP083N10N5 | MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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