|
|
PDF IPB020N08N5 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IPB020N08N5 | |
| Descripción | MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | Infineon | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de IPB020N08N5 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 12 Páginas | ||
|
No Preview Available !
MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
OptiMOSTM
OptiMOSª5Power-Transistor,80V
IPB020N08N5
DataSheet
Rev.2.0
Final
PowerManagement&Multimarket
1 page  
OptiMOSª5Power-Transistor,80V
IPB020N08N5
4Electricalcharacteristics
Table4Staticcharacteristics
Parameter
Symbol
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Gate resistance1)
Transconductance
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(on)
RG
gfs
Min.
80
2.2
-
-
-
-
-
-
100
Values
Typ. Max.
--
3.0 3.8
0.1 1
10 100
1 100
1.7 2.0
2.2 2.5
1.2 1.8
200 -
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,ID=1mA
V VDS=VGS,ID=208µA
µA
VDS=80V,VGS=0V,Tj=25°C
VDS=80V,VGS=0V,Tj=125°C
nA VGS=20V,VDS=0V
mΩ
VGS=10V,ID=100A
VGS=6V,ID=50A
Ω-
S |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=100A
Table5Dynamiccharacteristics1)
Parameter
Symbol
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Ciss
Coss
Crss
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Unit
Typ. Max.
9300 12100 pF
1500 1950 pF
65 11 pF
28 -
ns
16 -
ns
62 -
ns
20 -
ns
Note/TestCondition
VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
VDD=40V,VGS=10V,ID=100A,
RG,ext=1.6Ω
VDD=40V,VGS=10V,ID=100A,
RG,ext=1.6Ω
VDD=40V,VGS=10V,ID=100A,
RG,ext=1.6Ω
VDD=40V,VGS=10V,ID=100A,
RG,ext=1.6Ω
Table6Gatechargecharacteristics2)
Parameter
Symbol
Gate to source charge
Gate to drain charge1)
Switching charge
Gate charge total1)
Gate plateau voltage
Gate charge total, sync. FET
Output charge1)
Qgs
Qgd
Qsw
Qg
Vplateau
Qg(sync)
Qoss
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
43 -
28 42
45 -
133 166
4.6 -
115 -
156 207
Unit Note/TestCondition
nC VDD=40V,ID=100A,VGS=0to10V
nC VDD=40V,ID=100A,VGS=0to10V
nC VDD=40V,ID=100A,VGS=0to10V
nC VDD=40V,ID=100A,VGS=0to10V
V VDD=40V,ID=100A,VGS=0to10V
nC VDS=0.1V,VGS=0to10V
nC VDD=40V,VGS=0V
1) Defined by design. Not subject to production test.
2) See ″Gate charge waveforms″ for parameter definition
Final Data Sheet
5
Rev.2.0,2014-12-17
5 Page 
6PackageOutlines
OptiMOSª5Power-Transistor,80V
IPB020N08N5
Figure1OutlinePG-TO263-3,dimensionsinmm/inches
Final Data Sheet
11
Rev.2.0,2014-12-17
11 Page | ||
| Páginas | Total 12 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet IPB020N08N5.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IPB020N08N5 | MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |