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Número de pieza | BGA7H1N6 | |
Descripción | Silicon Germanium Low Noise Amplifier | |
Fabricantes | Infineon | |
Logotipo | ||
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Silicon Germanium Low Noise Amplifier for LTE
Data Sheet
Revision 3.1 (Min/Max), 2014-02-11
RF & Protection Devices
1 page BGA7H1N6
List of Figures
List of Figures
Figure 1
Figure 2
Figure 3
Figure 4
Figure 5
Figure 6
Figure 7
Figure 8
Figure 9
Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Application Schematic BGA7H1N6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Application Schematic BGA7H1N6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Drawing of Application Board . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
Application Board Cross-Section . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
TSNP-6-2 Package Outline (top, side and bottom views) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Footprint Recommendation TSNP-6-2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Marking Layout (top view). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Tape & Reel Dimensions (reel diameter 180 mm, pieces/reel 15000) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
Data Sheet
5 Revision 3.1 (Min/Max), 2014-02-11
5 Page BGA7H1N6
Electrical Characteristics
Table 5
Electrical Characteristics:1) TA = 25 °C, VCC = 2.8 V, VPON,ON = 2.8 V, VPON,OFF = 0 V,
f = 2620 - 2690 MHz
Parameter
Symbol
Values
Unit Note / Test Condition
Supply voltage
Supply current
Power On voltage
Min. Typ. Max.
VCC 1.5 – 3.3 V –
ICC – 4.8 5.8 mA ON-mode
– 0.2 3 μA OFF-mode
Vpon
1.0 –
0–
Vcc V ON-mode
0.4 V OFF-mode
Power On current
Ipon – 10
––
Insertion power gain
Noise figure2)
|S21|2
NF
11.1 12.6
– 0.65
Input return loss3)
Output return loss3)
Reverse isolation3)
Power gain settling time4)5)
RLin
RLout
1/|S12|2
tS
8
10
16
–
11
19
20
3
Inband input 1dB-compression IP1dB
point3)
-5
-1
Inband input 3rd-order intercept IIP3
point6)3)
+1 +6
Stability5)
k – >1
1) Based on the application described in chapter 3
2) PCB losses are subtracted
3) Verification based on AQL; not 100% tested in production
4) To be within 1 dB of the final gain
5) Guaranteed by device design; not tested in production
6) Input power = -30 dBm for each tone
15
1
14.1
1.2
–
–
–
6
–
–
–
μA
μA
dB
dB
dB
dB
dB
μs
dBm
ON-mode
OFF-mode
–
ZS = 50 Ω
–
–
–
OFF- to ON-mode
–
dBm
f1 = 2650 MHz
f2 = f1 +/-10 MHz
f = 20 MHz ... 10 GHz
Data Sheet
11 Revision 3.1 (Min/Max), 2014-02-11
11 Page |
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PDF Descargar | [ Datasheet BGA7H1N6.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
BGA7H1N6 | Silicon Germanium Low Noise Amplifier | Infineon |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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