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PDF SI2308BDS Datasheet ( Hoja de datos )

Número de pieza SI2308BDS
Descripción N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Fabricantes Vishay 
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SI2308BDS datasheet

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SI2308BDS pdf
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
3.0
Si2308BDS
Vishay Siliconix
2.4
1.8
1.2
0.6
0.0
0
25 50 75 100 125 150
TC - Case Temperature (°C)
Current Derating*
2.0 1.2
1.6
0.9
1.2
0.6
0.8
0.3
0.4
0.0
0
25 50 75 100 125
TC - Case Temperature (°C)
Power Derating, Junction-to-Case
150
0.0
0
25 50 75 100 125 150
TA - Ambient Temperature (°C)
Power Derating, Junction-to-Ambient
* The power dissipation PD is based on TJ(max.) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 69958
S-83053-Rev. B, 29-Dec-08
www.vishay.com
5

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
SI2308BDSN-Channel 60-V (D-S) MOSFETVishay
Vishay

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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