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PDF IPG20N10S4-36A Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IPG20N10S4-36A | |
| Descripción | Power-Transistor | |
| Fabricantes | Infineon | |
| Logotipo |  |
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IPG20N10S4-36A
OptiMOS™-T2 Power-Transistor
Features
• Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode
• AEC Q101 qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Green Product (RoHS compliant)
• 100% Avalanche tested
• Feasible for automatic optical inspection (AOI)
Product Summary
VDS
RDS(on),max4)
ID
100 V
36 mW
20 A
PG-TDSON-8-10
Type
IPG20N10S4-36A
Package
PG-TDSON-8-10
Marking
4N1036
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Continuous drain current
one channel active
I D T C=25 °C, V GS=10 V1)
Pulsed drain current2)
one channel active
Avalanche energy, single pulse2, 4)
Avalanche current, single pulse4)
Gate source voltage
Power dissipation
one channel active
T C=100 °C,
V GS=10 V2)
I D,pulse -
E AS
I AS
V GS
I D=10A
-
-
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg -
Value
20
17
80
60
15
±20
43
-55 ... +175
Unit
A
mJ
A
V
W
°C
Rev. 1.1
page 1
2015-04-13
1 page  
IPG20N10S4-36A
5 Typ. output characteristics5)
I D=f(V DS); T j=25°C
parameter: V GS
80
10 V
60
6 Typ. drain-source on-state resistance5)
R DS(on)=f(I D); T j=25°C
parameter: V GS
90
7V
5V
5.5 V
6V
80
70
60
40 6 V
50
5.5 V
40
20
5V
30
7V
10 V
0 20
012345
0
VDS [V]
20 40 60
ID [A]
7 Typ. transfer characteristics5)
I D=f(V GS); V DS=6V
parameter: T j
8 Typ. drain-source on-state resistance5)
R DS(on)=f(T j); I D=17A; V GS=10V
80 75
-55 °C
25 °C
65
60
175 °C
55
80
40 45
35
20
25
0
345678
VGS [V]
15
-60 -20 20 60 100 140 180
Tj [°C]
Rev. 1.1
page 5
2015-04-13
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IPG20N10S4-36A | Power-Transistor | Infineon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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