|
|
Número de pieza | IN93LC46BN | |
Descripción | EEPROM Integrated circuit | |
Fabricantes | Integral | |
Logotipo | ||
Hay una vista previa y un enlace de descarga de IN93LC46BN (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 13 Páginas | ||
No Preview Available ! IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD, IN93LC46СN/СD, IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, IN93AA46СN/СD
Микросхема
IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD,
IN93LC46СN/СD, IN93AA46AN/AD,
IN93AA46BN/BD, IN93AA46СN/СD
(аналог САТ93С46 ф.Catalyst) –
электрически стираемое перепрограммируемое
ПЗУ с информационной емкостью 1К (128х8 и/или
64х16 ) с 3-х проводным интерфейсом. Для микросхем
IN93LC46CN/CD, IN93AA46CN/CD при подключении
вывода ORG к общему выводу выбирается организация
128х8 бит. Если вывод ORG подключен к выводу пита-
ния от источника напряжения или остается свободным,
то выбирается организация 64х16 бит. Для микросхем
типономиналов А и В вывод ORG не подключается. При
этом микросхема IN93LC46AN/AD, IN93AA46AN/AD
имеет организацию 128х8, а микросхема
IN93LC46BN/BD, IN93AA46BN/BD – организацию
64х16 бит.
Микросхема предназначена для записи, считывания
и длительного энергонезависимого неразрушаемого
хранения информации в системах с 3-х проводным ин-
терфейсом. Используется в телевизионных приемниках,
в технике связи, контрольно-измерительной аппаратуре,
изделиях бытовой электроники.
08
08
01
Индекс N
01 DIP-корпус
Индекс D
SO-корпус
Рисунок 1 - Микросхемы в DIP и
SO-корпусах
Отличительные особенности:
• неразрушаемое хранение 1 Кбит информации в течение 100 лет при Тa = 25 оС;
• встроенный в кристалл умножитель напряжения;
• возможность образования общей шины ввода/вывода;
• автоматическое приращение адреса слова;
• внутренний таймер для записи;
• 1 000 000 циклов стирания/записи на байт;
• установка внутренней логики по включению питания;
• неограниченное количество циклов считывания;
• напряжение питания
микросхем IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD, IN93LC46CN/CD UСС = 2,5 B – 6,0 В;
микросхем IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, IN93AA46CN/CD UСС = 1,8 B – 6,0 В;
• низкая потребляемая мощность;
• температурный диапазон от минус 40 до плюс 85 оС
Ред.01/15.06.2008
1
1 page IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD, IN93LC46СN/СD, IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, IN93AA46СN/СD
Таблица 4 - Электрические параметры микросхемы при Та от минус 45 до 85 °С
(для микросхем IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, IN93AA46CN/CD UСС = 1,8 B – 6,0 В;
для микросхем IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD, IN93LC46CN/CD UСС = 2,5 B – 6,0 В)
Наименование параметра, еди-
ница измерения
Буквен-
ное обо-
значение
Выходное напряжение
низкого уровня, В
UOL1
Выходное напряжение
высокого уровня, В
UOH1
Выходное напряжение
низкого уровня, В
UOL2
Выходное напряжение
высокого уровня, В
UOH2
Ток утечки низкого уровня на
входе, мкА
IILL
Ток утечки высокого уровня на
входе, мкА
IILH
Ток утечки низкого уровня на
выходе, мкА
IOLL
Ток утечки высокого уровня на
выходе, мкА
IOLH
Ток потребления (8-разрядный
режим), мкА
ICC1
Ток потребления (16-разрядный
режим), нА
ICC2
Динамический ток потребления
в режиме считывания, мкА
Динамический ток потребления
в режиме стирания / записи, мА
Время установления выхода в
состояние низкого уровня по
сигналу SK, нс
IOCC R
IOCC E/W
tPD0
Время установления выхода в
состояние высокого уровня по
сигналу SK, нс
tPD1
Режим измерения
4,5 В ≤ UCC ≤ 5,5 В
IOL = 2,1 мА
4,5 В ≤ UCC ≤ 5,5 В
IOH = -400 мкА
1,8 В ≤ UCC < 4,5 В
IOL = 1 мА
1,8 В ≤ UCC < 4,5 В
IOH = -100 мкА
UI = 0 В
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
UI = Ucc
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
UO = 0 В; UIL = 0 В
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
UO = Ucc; UIL = 0 В
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
Ucc = 5,5 B; UIL = 0 В
UORG = 0 В или
ORG не подключен
Ucc = 5,5 B
UIL = 0 В; UIH = Ucc
UORG = Ucc
Ucc = 5,0 B
fC = 1 МГц
Ucc = 5,0 B
fC = 1 МГц
UCC = 4,5 В
fC = 1 МГц
UCC = 2,5 В
fC = 0,5 МГц
UCC = 1,8 В
fC = 0,25 МГц
UCC = 4,5 В
fC = 1 МГц
UCC = 2,5 В
fC = 0,5 МГц
UCC = 1,8 В
fC = 0,25 МГц
Норма
не менее не более
– 0,4
2,4 –
– 0,2
UCC-0,2
–
–
-1,0
– 1,0
– -1,0
– 1,0
– 10
– 900
– 500
– 3,0
– 250
– 500
– 1000
– 250
– 500
– 1000
Ред.01/15.06.2008
5
5 Page IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD, IN93LC46СN/СD, IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, IN93AA46СN/СD
Габаритные размеры корпуса
D
85
E1
14
b2 A
Установочная
плоскость
C
A1
e
b
0,25 (0,010) M C
L
c
E
α
Примечание - Размеры D, E1 не включают величину облоя, которая не должна превышать
0.25 (0.010) на сторону.
D E1 A b b2 e α
Миллиметры
min 9.02 6.07 ⎯ 0.36 1.14
0°
max 10.16 7.11 5.33 0.56 1.78 2.54 15°
Дюймы
min 0.355 0.240 ⎯ 0.014 0.045
0°
max 0.400 0.280 0.210 0.022 0.070 0.1 15°
L E c A1
2.93 7.62 0.20 0.38
3.81 8.26 0.36 ⎯
0.115 0.300 0.008 0.015
0.150 0.325 0.014 ⎯
Рисунок 11 – Габаритные размеры DIP-корпуса (MS-001BA)
Ред.01/15.06.2008
11
11 Page |
Páginas | Total 13 Páginas | |
PDF Descargar | [ Datasheet IN93LC46BN.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
IN93LC46BD | EEPROM Integrated circuit | Integral |
IN93LC46BN | EEPROM Integrated circuit | Integral |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |