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PDF 2SA1306A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SA1306A
Descripción Silicon PNP Power Transistors
Fabricantes INCHANGE　
Logotipo INCHANGE Logotipo



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No Preview Available ! 2SA1306A Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistors
DESCRIPTION
·Good Linearity of hFE
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V(BR)CEO= -160V(Min)-2SA1306
= -180V(Min)-2SA1306A
= -200V(Min)-2SA1306B
·Complement to Type 2SC3298/A/B
APPLICATIONS
·Power amplifier applications.
·Driver stage amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO
Collector-Base
Voltage
2SA1306
2SA1306A
2SA1306B
-160
-180
-200
V
VCEO
Collector-Emitter
Voltage
2SA1306
2SA1306A
2SA1306B
-160
-180
-200
V
VEBO Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
IBB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
-5 V
-1.5 A
-0.15
A
20 W
150 ℃
-55~150 ℃
isc Product Specification
2SA1306/A/B
isc Website：www.iscsemi.cn

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SA1306PNP TransistorToshiba
Toshiba
2SA1306SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC
2SA1306Silicon PNP Power TransistorsINCHANGE
INCHANGE
2SA1306APNP TransistorToshiba
Toshiba

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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