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PDF BC860A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BC860A
Descripción Surface mount General Purpose Si-Epitaxial-Planar Transistors
Fabricantes Diotec Semiconductor 
Logotipo Diotec Semiconductor Logotipo



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BC856 ... BC860
BC856 ... BC860
PNP
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2015-05-12
2.9 ±0.1
0.4+0.1
-0.05
3
Type
Code
1.1+0.1
-0.2
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
12
1.9±0.1
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
PNP
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
- IC
- ICM
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
BC856
BC857
BC860
BC858
BC859
65 V
45 V
30 V
80 V
50 V
30 V
5V
250 mW 1)
100 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
- VCE = 5 V, - IC = 10 µA
Group A
Group B
Group C
HFE
hFE
hFE
- VCE = 5 V, - IC = 2 mA
Group A
Group B
Group C
HFE
hFE
hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)
IC = 10 mA, IB = 0.5 mA
IC = 100 mA, IB = 5 mA
- VCEsat
- VCEsat
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2)
IC = 10 mA, IB = 0.5 mA
IC = 100 mA, IB = 5 mA
- VBEsat
- VBEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
– 90 –
– 150 –
– 270 –
125 180 250
220 290 475
420 520 800
– – 300 mV
– – 650 mV
– 700 mV –
– 900 mV –
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BC860TransistorLGE
LGE
BC860Silicon PNP transistorBLUE ROCKET ELECTRONICS
BLUE ROCKET ELECTRONICS
BC860PNP TransistorsKexin
Kexin
BC860PNP general purpose transistorsNXP Semiconductors
NXP Semiconductors

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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