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PDF CEB85A3 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza CEB85A3
Descripción N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fabricantes CET 
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CEP85A3/CEB85A3
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
25V, 90A, RDS(ON) = 6m@VGS = 10V.
RDS(ON) = 9m@VGS = 4.5V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-263 & TO-220 package.
D
GS
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEP SERIES
TO-220
G
D
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
25
±20
90
360
89
0.71
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
1.4
50
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
Rev 1. 2005.September
1
http://www.cet-mos.com

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
CEB85A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorCET
CET

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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