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Número de pieza | CEF630N | |
Descripción | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
Fabricantes | CET | |
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CEF630N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
Type
CEP630N
CEB630N
CEF630N
VDSS
200V
200V
200V
RDS(ON)
0.36Ω
0.36Ω
0.36Ω
ID @VGS
9A 10V
9A 10V
9A d 10V
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
D
DG
GS
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEP SERIES
TO-220
G
D
S
CEF SERIES
TO-220F
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
TO-220/263
TO-220F
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM e
PD
200
±20
9
36
78
0.63
9d
36 d
33
0.27
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
1.6
62.5
3.7
65
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 3. 2008.Oct.
http://www.cet-mos.com
1 page |
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PDF Descargar | [ Datasheet CEF630N.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
CEF630N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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