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PDF K4150 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza K4150
Descripción MOSFET ( Transistor ) - 2SK4150
Fabricantes Renesas Technology 
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2SK4150
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Capable of 2.5 V gate drive
Low drive current
Low on-resistance
RDS(on) = 4.0 typ. (at ID = 0.2 A, VGS = 4 V, Ta = 25°C)
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003DA-A
(Package name: TO-92(1))
321
G
Absolute Maximum Ratings
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Body-drain diode reverse drain peak current
Channel dissipation
Channel to ambient thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW 10 s, duty cycle 1%
Symbol
VDSS
VGSS
ID
ID
Note1
(pulse)
IDR
IDR
Note1
(pulse)
Pch
ch-a
Tch
Tstg
Preliminary Datasheet
REJ03G1909-0300
Rev.3.00
May 27, 2010
D
1. Source
2. Drain
3. Gate
S
Ratings
250
±10
0.4
1.6
0.4
1.6
0.75
166.7
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
W
C/W
C
C
REJ03G1909-0300 Rev.3.00
May 27, 2010
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K4150 pdf
2SK4150
3
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Preliminary
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1 0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
1shot
pulse
θch – a(t) = γs (t) θch – a
θch – a = 166.7°C/W, Ta = 25°C
PDM
D=
PW
T
PW
T
0.01
10 μ
100 μ
1m
10 m 100 m
1
Pulse Width PW (s)
10 100 1000
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
10 Ω
Vin
4V
D.U.T.
Vout
Monitor
RL
VDD
= 125 V
Waveform
Vin
Vout
10%
10%
90%
td(on)
tr
90%
10%
90%
td(off)
tf
REJ03G1909-0300 Rev.3.00
May 27, 2010
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
K4150MOSFET ( Transistor ) - 2SK4150Renesas Technology
Renesas Technology

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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