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PDF 2SB1375 Datasheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SB1375
Descripción Silicon PNP Triple Diffused Type
Fabricantes GME 
Logotipo GME Logotipo

Total 4 Páginas
		
2SB1375 Hoja de datos, Descripción, Manual
Silicon PNP Triple Diffused Type
FEATURES
z Low Saturation Voltage:VCE(sat)=-1.5V(max.)
(IC/IB=-2A/-0.2A)
Pb
z High Power Dissipation:PC=25W(TC=25) Lead-free
z Complements the 2SD2012.
Production specification
2SB1375
TO-220AB
MAXIMUM RATING operating temperature range applies unless otherwise specified
Symbol Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage
-60 V
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj,Tstg
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Dissipation
Ta=25
Tc=25
Junction and Storage Temperature
-60 V
-7 V
-3 A
-0.5 A
2.0
W
25
-55 to +150
X015
Rev.A
www.gmicroelec.com
1

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SB1370Power Transistor (-60V/ -3A)Rohm
Rohm
2SB1370SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC
2SB1370PNP TransistorsLGE
LGE
2SB1370Silicon PNP transistorBLUE ROCKET ELECTRONICS
BLUE ROCKET ELECTRONICS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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