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PDF FD600R17KF6CB2 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza FD600R17KF6CB2
Descripción IGBT Module
Fabricantes eupec 
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FD 600 R 17 KF6C B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC = 80 °C
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
tp = 1 ms, TC=80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 600A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
IC = 600A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
IC = 40mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
gate charge
VGE = -15V ... +15V
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VISOL
1700
600
975
1200
4,8
+/- 20V
600
1200
100
4
V
A
A
A
kW
V
A
A
kA2s
kV
VCE sat
min.
-
-
typ.
2,6
3,1
max.
3,1
3,6
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
V
V
QG - 7,2 - µC
Cies - 40 - nF
Cres 2 nF
ICES
-
0,015 1,2
mA
- 8 60 mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: Alfons Wiesenthal
approved by: Christoph Lübke; 18.12.2001
date of publication: 18.12.2001
revision: 3 (Series)
1(8)
FD600R17KF6CB2.xls

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FD600R17KF6CB2 pdf
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FD 600 R 17 KF6C B2
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
1200
1000
800
Tj = 25°C
Tj = 125°C
IC = f (VGE)
VCE = 20V
600
400
200
0
5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
1200
1000
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
600
400
200
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
VF [V]
IF = f (VF)
2,5 3,0
5(8)
FD600R17KF6CB2.xls

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
FD600R17KF6CB2IGBT Moduleeupec
eupec

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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