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PDF 2SC2782 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SC2782 | |
| Descripción | Silicon NPN POWER TRANSISTOR | |
| Fabricantes | HGSemi | |
| Logotipo |  |
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HG
Semiconductors
2sc2782HG RF POWER TRANSISTOR
ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR
2SC2782
VHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
Output Power
: Po = 80W (Min.)
(f = 175MHz, VCC = 12.5V, Pi = 18W)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
C ollector C urrent
Collector Power Dissipation
Junction T em perature
Storage Temperature Range
SYM B OL
V CBO
V CEO
V EBO
IC
CP
Tj
T stg
AT RING
36
16
4
20
220
175
65~175
UNIT
V
V
V
A
W
°C
°C
Unit in mm
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 5.5g
—
—
2 C1A
Note : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change
www.HGSemi.com
Sep. 1998
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SC2780 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |  NEC |
| 2SC2780 | Transistor |  TY Semiconductor |
| 2SC2782 | Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor |  Toshiba Semiconductor |
| 2SC2782 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |  ASI |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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