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Número de pieza | IPB160N04S4-H1 | |
Descripción | Power-Transistor | |
Fabricantes | Infineon | |
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OptiMOS®-T2 Power-Transistor
Features
• N-channel - Enhancement mode
• AEC qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Green product (RoHS compliant)
• Ultra low Rds(on)
• 100% Avalanche tested
Product Summary
V DS
R DS(on)
ID
40 V
1.6 mW
160 A
PG-TO263-7-3
Type
IPB160N04S4-H1
Package
PG-TO263-7-3
Marking
4N04H1
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Continuous drain current
I D T C=25°C, V GS=10V1)
T C=100 °C,
V GS=10 V2)
Pulsed drain current2)
I D,pulse T C=25 °C
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=80 A
Avalanche current, single pulse
I AS -
Gate source voltage
V GS
-
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg -
IEC climatic category; DIN IEC 68-1 -
-
Value
160
160
640
400
160
±20
167
-55 ... +175
55/175/56
Unit
A
mJ
A
V
W
°C
Rev. 1.0
page 1
2012-02-14
1 page IPB160N04S4-H1
5 Typ. output characteristics
I D = f(V DS); T j = 25 °C
parameter: V GS
600 10 V
500
400
300
200
100
0
024
V DS [V]
7 Typ. transfer characteristics
I D = f(V GS); V DS = 6V
parameter: T j
600
6 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = (I D); T j = 25 °C
parameter: V GS
12
7V
10
5.5 V
66V V
6.5 V
6.5 V
8
6
6V
4
7V
5.5 V
2
10 V
0
6 0 100 200 300 400 500 600
I D [A]
8 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = f(T j); I D = 100 A; V GS = 10 V
2.5
500 2
400
1.5
300
200
175 °C
100
25 °C
-55 °C
0
2345678
V GS [V]
1
0.5
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 1.0
page 5
2012-02-14
5 Page |
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PDF Descargar | [ Datasheet IPB160N04S4-H1.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
IPB160N04S4-H1 | Power-Transistor | Infineon |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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