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PDF IPB80N06S2L-06 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza IPB80N06S2L-06
Descripción Power-Transistor
Fabricantes Infineon Technologies 
Logotipo Infineon Technologies Logotipo



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No Preview Available ! IPB80N06S2L-06 Hoja de datos, Descripción, Manual

OptiMOS® Power-Transistor
Features
• N-channel Logic Level - Enhancement mode
• Automotive AEC Q101 qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
Green package (lead free)
• Ultra low Rds(on)
• 100% Avalanche tested
IPB80N06S2L-06
IPP80N06S2L-06
Product Summary
V DS
R DS(on),max (SMD version)
ID
55 V
6.3 m
80 A
PG-TO263-3-2
PG-TO220-3-1
Type
IPB80N06S2L-06
IPP80N06S2L-06
Package
Ordering Code Marking
PG-TO263-3-2 SP0002-18163 2N06L06
PG-TO220-3-1 SP0002-18824 2N06L06
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Continuous drain current1)
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse2)
Gate source voltage4)
Power dissipation
Operating and storage temperature
I D T C=25 °C, V GS=10 V
T C=100 °C,
V GS=10 V2)
I D,pulse T C=25 °C
E AS I D= 80 A
V GS
P tot T C=25 °C
T j, T stg
Value
80
80
320
530
±20
250
-55 ... +175
Unit
A
mJ
V
W
°C
Rev. 1.0
page 1
2006-03-13

1 page




IPB80N06S2L-06 pdf
5 Typ. output characteristics
I D = f(V DS); T j = 25 °C
parameter: V GS
300
10 V
250
4V
200
150
3.5 V
100
50
3V
0 2.5 V
02468
V DS [V]
7 Typ. transfer characteristics
I D = f(V GS); V DS = 6V
parameter: T j
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
175 °C
25 °C
-55 °C
23
V GS [V]
Rev. 1.0
IPB80N06S2L-06
IPP80N06S2L-06
6 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = (I D); T j = 25 °C
parameter: V GS
16
3V
14
3.5 V
12
10
8 4V
6 4.5 V
10 V
4
2
10 0 20 40 60 80
I D [A]
8 Typ. Forward transconductance
g fs = f(I D); T j = 25°C
parameter: g fs
250
100 120
200
150
100
50
0
40
page 5
50 100 150
I D [A]
200
2006-03-13

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
IPB80N06S2L-05Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies
IPB80N06S2L-06Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies
IPB80N06S2L-07Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies
IPB80N06S2L-09Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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