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PDF IPD25N06S2-40 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IPD25N06S2-40 | |
| Descripción | Power-Transistor | |
| Fabricantes | Infineon Technologies | |
| Logotipo |  |
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OptiMOS® Power-Transistor
Features
• N-channel - Enhancement mode
• Automotive AEC Q101 qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Green package (lead free)
• Ultra low Rds(on)
• 100% Avalanche tested
IPD25N06S2-40
Product Summary
V DS
R DS(on),max (SMD version)
ID
55 V
40 mΩ
29 A
PG-TO252-3-11
Type
IPD25N06S2-40
Package
Marking
PG-TO252-3-11 2N0640
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Continuous drain current
I D T C=25 °C, V GS=10 V
T C=100 °C,
V GS=10 V2)
Pulsed drain current1)
I D,pulse T C=25 °C
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=25A
Gate source voltage
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Value
29
21
116
80
±20
68
-55 ... +175
55/175/56
Unit
A
mJ
V
W
°C
Rev. 1.0
page 1
2006-07-18
1 page  
IPD25N06S2-40
5 Typ. output characteristics
I D = f(V DS); T j = 25 °C
parameter: V GS
60
10 V
7V
50
6.5 V
40
30
6V
20
5.5 V
10
5V
0
01234
V DS [V]
7 Typ. transfer characteristics
I D = f(V GS); V DS = 6V
parameter: T j
50
40
30
6 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = (I D); T j = 25 °C
parameter: V GS
120
110 5.5 V
6V
6.5 V
100
90
80
70
60
7V
50
40
10 V
30
567
20
0
10 20 30 40 50 60
I D [A]
8 Typ. Forward transconductance
g fs = f(I D); T j = 25°C
parameter: g fs
175 °C
25 °C
-55 °C
32
28
24
20
16
20
12
8
10
4
00
234567
0 10 20 30 40 50
V GS [V]
I D [A]
Rev. 1.0
page 5
2006-07-18
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IPD25N06S2-40 | Power-Transistor | Infineon Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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