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Número de pieza | IPD50N06S3-15 | |
Descripción | Power Transistor | |
Fabricantes | Infineon | |
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No Preview Available ! OptiMOS®-T Power-Transistor
Features
• N-channel - Normal Level - Enhancement mode
• Automotive AEC Q101 qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Green package (RoHS compliant)
• 100% Avalanche tested
IPD50N06S3-15
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
55 V
15 mΩ
50 A
PG-TO252-3-11
Type
IPD50N06S3-15
Package
Marking
PG-TO252-3-11 3N0615
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Continuous drain current1)
I D T C=25 °C, V GS=10 V
T C=100 °C,
V GS=10 V2)
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse2)
Avalanche current, single pulse
I D,pulse
E AS
I AS
T C=25 °C
I D=25 A
Gate source voltage3)
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Value
50
35
200
130
50
±20
65
-55 ... +175
55/175/56
Unit
A
mJ
A
V
W
°C
Rev. 1.2
page 1
2009-05-20
1 page 5 Typ. output characteristics
I D = f(V DS); T j = 25 °C
parameter: V GS
200
20 V
12 V
160
120
80
40
0
0246
V DS [V]
7 Typ. transfer characteristics
I D = f(V GS); V DS = 6 V
parameter: T j
200
IPD50N06S3-15
6 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = f(I D); T j = 25 °C
parameter: V GS
100
5V
90
6V
7V
8V 9V
80
10 V
70
60
9V
50
8V
40
7 V 30
6V
5V
8 10
20
10
0
10 V
20 40 60 80 100 120
I D [A]
8 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = f(T j); I D = 50 A; V GS = 10 V
24
150
-55 °C
20
100
25 °C
175 °C
16
50 12
0
0 2 4 6 8 10
V GS [V]
8
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 1.2
page 5
2009-05-20
5 Page |
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PDF Descargar | [ Datasheet IPD50N06S3-15.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
IPD50N06S3-15 | Power Transistor | Infineon |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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