|
|
PDF DDB6U75N16W1R Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | DDB6U75N16W1R | |
| Descripción | IGBT Module | |
| Fabricantes | Infineon | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de DDB6U75N16W1R (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 8 Páginas | ||
|
No Preview Available !
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DDB6U75N16W1R
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 100°C
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 100°C
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 65 A
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
VorläufigeDaten
PreliminaryData
VRRM
IFRMSM
IRMSM
IFSM
I²t
1600
65
90
605
470
1850
1100
V
A
A
A
A
A²s
A²s
min. typ. max.
VF 1,10 V
IR 1,00 mA
RthJC
0,65 0,72 K/W
RthCH
0,80
K/W
Tvj op
°C
preparedby:DK
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-05
revision:2.0
1
1 page  
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DDB6U75N16W1R
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0,20
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
0,40 0,60
0,80 1,00
VF [V]
1,20
1,40
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
100
Tvj = 25°C
90 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
80
70
60
50
40
30
20
10
1,60
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VCE [V]
AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
100
VGE = 19V
90 VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
80 VGE = 11V
VGE = 9V
70
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
100
Tvj = 25°C
90 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
80
70
60 60
50 50
40 40
30 30
20 20
10 10
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
VGE [V]
preparedby:DK
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-05
revision:2.0
5
5 Page | ||
| Páginas | Total 8 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet DDB6U75N16W1R.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| DDB6U75N16W1R | IGBT Module | Infineon |
| DDB6U75N16W1R_B11 | IGBT Module | Infineon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |