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Número de pieza | W2XN9386 | |
Descripción | Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors | |
Fabricantes | XINSUN | |
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No Preview Available ! 江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片
W2XN9386
低频放大管壳额定双极型晶体管
文件编号
版本号
页码
XS-J-055
13-A2-03
1/3
1 主要用途及主要特点
1.1 主要用途
用 W2XN9386 封装的成品管主要用于电子节能灯、电子镇流器、电子变压器以及计算机电源的功
率开关电路等。
1.2 主要特点
z 高耐压
z 开关损耗低,可靠性高
z 高开关速度
2 芯片数据
芯片示意图
芯片尺寸(mm×mm)
3.86×3.86
芯片厚度(µm)
划片道*尺寸(µm)
250±20
74
键合区面积
基区
572×1064
(µm2)
发射区
600×1257
钝化层
PIA
正面电极
金属
厚度(µm)
铝
5±0.5
背面电极
金属
银
硅片直径(㎜)
φ125
装片要求(推荐)
焊料
键合要求(推荐)
铝丝;E 区:φ300μm,
一根;B 区:φ200μm,
* 划片道位置示意图:
根
3 电特性(在推荐的封装形式、适当的封装条件下)
3.1 极限值
除非另有规定,Tamb= 25℃
参数名称
符号 额定值
集电极-基极电压
VCB0 700
集电极-发射极电压
VCE0 400
发射极-基极电压
VEB0 9
集电极电流
IC 8
耗散功率(Tamb=25℃)
Ptot 3
结温
Tj 150
贮存温度
Tstg -55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
备注
推荐封装形式:TO-3P
推荐成品型号:3DD13009
江阴新顺微电子有限公司
地 址:江苏省江阴市滨江中路 275 号
网址:http://www.xinshun.cn
电 话:(0510)86851182 86852109
传真:(0510)86851532
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PDF Descargar | [ Datasheet W2XN9386.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
W2XN9386 | Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors | XINSUN |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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