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PDF FP50R12KS4C Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | FP50R12KS4C | |
| Descripción | IGBT-Module | |
| Fabricantes | eupec | |
| Logotipo |  |
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP50R12KS4C
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip
Dauergleichstrom
DC forward current
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t - value
TC = 80°C
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Tc = 80 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms,
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
TC =
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I2t - value
Tc = 80 °C
tP = 1 ms
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
TC = 80 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms, TC = 80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Tc = 80 °C
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
80 °C
prepared by: A.Schulz
approved by: M.Hierholzer
date of publication: 2001-11-28
revision: 2
VRRM
IFRMSM
Id
IFSM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
1600
40
50
500
400
1250
800
1200
50
70
100
360
+/- 20V
50
100
1.200
1200
25
45
50
230
+/- 20V
15
30
V
A
A
A
A
A2s
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
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DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
1 page  
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP50R12KS4C
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
Output characteristic Inverter (typical)
100
90
80 Tj = 25°C
70 Tj = 125°C
60
50
40
30
20
10
0
0123
VCE [V]
IC = f (VCE)
VGE = 15 V
4
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
Output characteristic Inverter (typical)
100
90 VGE = 20V
VGE = 15V
80 VGE = 12V
VGE = 10V
70
VGE = 8V
60
50
40
30
20
10
0
0123
VCE [V]
IC = f (VCE)
Tvj = 125°C
4
5
5
6
6
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DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
5 Page 
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP50R12KS4C
Schaltplan/ Circuit diagram
21 22
1 23
14
23 24
20
7 19
13
Gehäuseabmessungen/ Package outlines
18
4 17
12
16
5 15
11
89
NTC
6
10
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| FP50R12KS4C | IGBT-Module | eupec |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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