|
|
PDF FQU1N60C Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | FQU1N60C | |
| Descripción | N-Channel MOSFET | |
| Fabricantes | HAOHAI | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de FQU1N60C (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 6 Páginas | ||
|
No Preview Available !
1.3A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书
工业型号
公司型号 通俗命名
H
FQU1N60C
FQD1N60C
H1N60U
H1N60D
1N60
HAOHAI
封装标识
U: TO-251
D: TO-252
1N60 Series
N-Channel MOSFET
包装方式
每管数量
每盒数量
条管装
载带卷盘
80只/管
2.5K/卷
4Kpcs/盒
5Kpcs/盒
每箱数量
24Kpcs
25Kpcs
■APPLICATION
ELECTRONIC BALLAST
ELECTRONIC TRANSFORMER
SWITCH MODE POWER SUPPLY
ID=1.3A
VDS=600V
RDS(on)=13Ω
■FEATURES
LOW ON-RESISTANCE
FAST SWITCHING
HIGH INPUT RESISTANCE
RoHS COMPLIANT
Package: TO-251 and TO-252（IPAK & DPAK）
■特点
导通电阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范
■应用范围
开关电源、LCD电源、LED驱动电源、机箱电源、UPS电源
各种充电器、电子整流器、电子变压器、逆变器、控制器
转换器、风扇控制板、
以及电源适配器、汽车稳压器等线性放大和功率开关电路
■封装形式
TO-251（IPAK）、TO-252（DPAK）
1N60 Series Pin Assignment
3-Lead Plastic TO-251
Package Code: U
Pin 1: Gate
Pin 2: Drain
Pin 3: Source
3-Lead Plastic TO-252
Package Code: D
Pin 1: Gate
Pin 2: Drain
Pin 3: Source
2D
Series Symbol: 1 G
3S
■ 最大额定 Absolute Maximum Ratings（TC=25℃）
参数
PARAMETER
漏-源电压 Drain-source Voltage
栅-源电压 gate-source Voltage
漏极电流 Continuous Drain Current８
TC=25℃
TC=100℃
最大脉冲电流 Drain Current －Pulsed ①
耗散功率 Power Dissipation (TL=25°C)
最高结温 Junction Temperature
存储温度 Storage Temperature
单脉冲雪崩能量 Single Pulse Avalanche Energy ②
* 漏极电流由最高结温限制 (*Drain current limited by maximum junction temperature)
符号
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IDM
PD
Tj
TSTG
EAS
额定值
VALUE
600
±30
1.0 *
0.6 *
4.0 *
28
150
-55~+150
14
单位
UNIT
V
A
W
℃
mJ
http://www.szhhe.com
HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.
第1页 共6页
致力於中國功率器件優秀供應商
1N60C-UD-E2C
1 page  
1.3A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书
PACKAGE DIMENSIONS
SEATING
PLANE
■ TO-251（IPAK）Dimension（封装尺寸数据, 单位: mm）
MILLIMETERS
DIM
Min. Max.
A 5.97 6.35
B 6.35 6.73
C 2.19 2.38
D 0.69 0.88
E 0.84 1.01
F 0.94 1.19
G 2.29 BSC
H 0.87 1.01
J 0.46 0.58
K 8.89 9.65
R 4.45 5.46
S 1.27 2.28
V 0.77 1.27
1N60 Series
N-Channel MOSFET
元件打印标识
左上角:公司LOGO
AAA:芯片代码
XXXXXXXXX:器件型号
BBBBB:批次代码
aabb:出厂批号
aabb:其中:
aabb:aa:出厂年份
aabb:bb:出厂自然周:(01-53)
■ TO-252（DPAK）Dimension（封装尺寸数据, 单位: mm）
SEATING
PLANE
MILLIMETERS
DIM
Min. Max.
A 5.97 6.35
B 6.35 6.73
C 2.19 2.38
D 0.69 0.88
E 0.84 1.01
F 0.94 1.19
G 4.58 BSC
H 0.87 1.01
J 0.46 0.58
K 2.60 2.89
L 2.29 BSC
R 4.45 5.46
S 0.51 1.27
U 0.51 --
V 0.77 1.27
Z 3.51 --
元件打印标识
左上角:公司LOGO
AAA:芯片代码
XXXXXXXXX:器件型号
BBBBB:批次代码
aabb:出厂批号
aabb:其中:
aabb:aa:出厂年份
aabb:bb:出厂自然周:(01-53)
http://www.szhhe.com
HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.
第5页 共6页
致力於中國功率器件優秀供應商
1N60C-UD-E2C
5 Page | ||
| Páginas | Total 6 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet FQU1N60C.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| FQU1N60 | 600V N-Channel MOSFET |  Fairchild Semiconductor |
| FQU1N60C | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
| FQU1N60C | 600V N-Channel MOSFET |  Kersemi Electronic |
| FQU1N60C | N-Channel MOSFET | HAOHAI |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |