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Número de pieza | FS225R12KE3 | |
Descripción | IGBT-Module | |
Fabricantes | Infineon | |
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IGBT-Module
IGBT-modules
FS225R12KE3
-EconoPACK™+ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode
-EconoPACK™+withtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VCES
IC nom
IC
ICRM
Ptot
VGES
1200
225
325
450
1150
+/-20
V
A
A
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 225 A, VGE = 15 V
IC = 225 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 9,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 225 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 225 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 225 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 225 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 225 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH
VGE = ±15 V
RGon = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 225 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
VCE sat
VGEth
QG
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
tr
td off
tf
Eon
Eoff
ISC
RthJC
RthCH
Tvj op
min. typ. max.
1,70 2,15
2,00
V
V
5,0 5,8 6,5 V
2,10 µC
3,3 Ω
16,0 nF
0,75 nF
5,0 mA
400 nA
0,25
0,30
µs
µs
0,09
0,10
µs
µs
0,55
0,65
µs
µs
0,13
0,16
µs
µs
mJ
15,0 mJ
mJ
36,0 mJ
900
A
0,11 K/W
0,047
K/W
-40 125 °C
preparedby:MB
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1
1
1 page TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS225R12KE3
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=225A,VCE=600V
80
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
70
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
1
ZthJC : IGBT
60
0,1
50
40
30
0,01
20
10
0 0,001
0 4 8 12 16 20 24 28 32
0,001
RG [Ω]
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,0066 0,0363 0,0352 0,0319
τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1
0,01 0,1
t [s]
1
10
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=3.3Ω,Tvj=125°C
500
IC, Modul
450 IC, Chip
400
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
450
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
375
350
300
300
250 225
200
150
150
100
75
50
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
VCE [V]
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
preparedby:MB
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1
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PDF Descargar | [ Datasheet FS225R12KE3.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
FS225R12KE3 | IGBT-Module | Infineon |
FS225R12KE3 | IGBT-Module | eupec |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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