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PDF FQP5N60 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | FQP5N60 | |
| Descripción | FQP5N60 | |
| Fabricantes | TOBA | |
| Logotipo |  |
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热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
符号
RθJC
RθJA
SVD5N60AT
1.25
62.5
SVD5N60AF
3.79
62.5
单位
°C/W
°C/W
关断特性参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
测试条件
VGS=0V, ID=250µA
VDS=600V, VGS=0V
VGS=±30V, VDS=0V
VGS= VDS, ID=250µA
VGS=10V, ID=2A
VDS=25V,VGS=0V,
f=1.0MHZ
VDD=300V,ID=4.4A,
RG=25Ω
(Note 3,4)
VDS=480V,ID=4.4A,
VGS=10V
(Note 3,4)
最小值
600
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
2.0
672
66
4.7
27
19
160
22
19.8
4
7.2
最大值
--
10
±100
4.0
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
µA
nA
V
Ω
pF
ns
nC
源-漏二极管特性参数
参数
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值
源极电流
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：
IS MOS 管中源极、漏极构 --
ISM 成的反偏 P-N 结
--
VSD IS=5.0A，VGS=0V
--
Trr IS=5.0A，VGS=0V，
--
Qrr dIF/dt=100A/µs (Note 3)
--
-- 5.0
-- 16
-- 1.4
300 --
2.2 --
1. L=30mH，IAS=4.4A，VDD=85V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C；
2. 重复频率：脉冲宽度在结温可以承受的范围内；
3. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
4. 基本上不受工作温度的影响。
单位
A
V
ns
µC
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号：1.0 2009.07.09
共7页 第2页
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| FQP5N60 | 600V N-Channel MOSFET |  Fairchild Semiconductor |
| FQP5N60 | FQP5N60 | TOBA |
| FQP5N60C | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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