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PDF K2276 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza K2276
Descripción Silicon N-Channel MOS
Fabricantes Panasonic　
Logotipo Panasonic Logotipo



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No Preview Available ! K2276 Hoja de datos, Descripción, Manual

Power F-MOS FETs
2SK2276
Silicon N-Channel MOS
For switching
s Features
q Low ON-resistance RDS(on)
q High-speed switching
2SK2276
6.5±0.1
5.3±0.1
4.35±0.1
3.0±0.1
Unit : mm
s Absolute Maximum Ratings (Tc = 25˚C)
Parameter
Symbol
Drain-Source breakdown voltage
VDSS
Gate-Source voltage
VGSS
Drain current
Max drain current
Allowable power dissipation Chan-
ID
IDP *1
PD *2
nel temperature
Tch
Storage temperature
Tstg
* 1 t ≤ 300µs , Duty Cycle < 10% * 2 TC= 25˚C
Rating
60
±20
±3
±5
10
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
W
˚C
˚C
0.85±0.1
4.6±0.1
0.75±0.1 0.5±0.1
0.05 to 0.15
1.0±0.1
123
Marking
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
EIAJ : SC-63
U Type Package
s Internal Connection
D
G
S
s Electrical Characteristics (Tc = 25˚C)
Parameter
Drain-Source cut-off current
Gate-Source leakage current
Drain-Source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Drain-Source ON-resistance
Forward transadmittance
Input capacitance
Output capacitance
Feedback capacitance
Turn-on time
Fall time
Turn-off time (delay time)
Symbol
IDSS
IGSS
VDSS
Vth
RDS(on)
| Yfs |
Ciss
Coss
Crss
ton
tf
td(off)
Condition
VDS= 40V, VGS= 0
VGS=±20V, VDS= 0
ID=1mA, VGS= 0
VDS=10V, ID=1mA
VGS=10V, ID= 3A
VDS=10V, ID= 3A
VDS=10V, VGS= 0, f=1MHz
VGS=10V, ID= 3A, RL=10Ω
Min Typ Max Unit
10 µ A
±1 µ A
60 V
1 2.5 V
0.135
0.2
Ω
2.4 4
S
400 pF
210 pF
80 pF
29 ns
53 ns
97 ns

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
K227Silicon N-Channel Enhancement MOS FETHitachi
Hitachi
K2275MOSFET ( Transistor ) - 2SK2275NEC
NEC
K2276Silicon N-Channel MOSPanasonic
Panasonic

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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