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PDF FTB1412 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | FTB1412 | |
| Descripción | PNP Transistor | |
| Fabricantes | First Silicon | |
| Logotipo |  |
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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
FTB1412
FTB1412 TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
Power Amplifier Applications
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
TJ
Tstg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current –Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
-30
-20
-6
-5
1
150
-55-150
Unit
V
V
V
A
W
℃
℃
AI
CJ
H
FF
123
1 BASE
2 COLLECTOR
3 EMITTER
DIM MILLIMETERS
A 6 50 ± 0 2
B 5 60 ± 0 2
C 5 20 ± 0 2
D 1 50 ± 0 2
E 2 70 ± 0 2
F 2 30 ± 0 1
H 1 00 MAX
LI
J
2 30 ± 0 2
05± 01
L 0 50 ± 0 10
O 16±02
Q 0 95 MAX
DPAK
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Test conditions
Min Typ Max
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO IC=-50µA,IE=0
-30
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0
-20
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO IE=-50µA,IC=0
-6
Collector cut-off current
ICBO
VCB=-20V,IE=0
-0.5
Emitter cut-off current
IEBO VEB=-5V,IC=0
-0.5
DC current gain
hFE VCE=-2V,IC=-500mA
82 390
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=-4A,IB=-100mA
-1
Transition frequency
fT VCE=-6V,IC=-50mA,f=30MHz
120
Collector output capacitance
Cob VCB=-20V,IE=0,f=1MHz
60
Unit
V
V
V
µA
µA
V
MHz
pF
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
P
Range
82-180
Q
120-270
R
180-390
2011. 12. 26
Revision No : 0
1/2
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| PDF Descargar | [ Datasheet FTB1412.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| FTB1412 | PNP Transistor | First Silicon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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