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PDF IPD14N06S2-80 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IPD14N06S2-80 | |
| Descripción | Power-Transistor | |
| Fabricantes | Infineon Technologies AG | |
| Logotipo |  |
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OptiMOS® Power-Transistor
Features
• N-channel - Enhancement mode
• Automotive AEC Q101 qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Green package (lead free)
• Ultra low Rds(on)
• 100% Avalanche tested
IPD14N06S2-80
Product Summary
V DS
R DS(on),max (SMD version)
ID
55 V
80 mΩ
17 A
PG-TO252-3-11
Type
IPD14N06S2-80
Package
Marking
PG-TO252-3-11 2N0680
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Continuous drain current
I D T C=25 °C, V GS=10 V
T C=100 °C,
V GS=10 V2)
Pulsed drain current1)
I D,pulse T C=25 °C
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=14A
Gate source voltage
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Value
17
12
68
43
±20
47
-55 ... +175
55/175/56
Unit
A
mJ
V
W
°C
Rev. 1.0
page 1
2006-07-18
1 page  
IPD14N06S2-80
5 Typ. output characteristics
I D = f(V DS); T j = 25 °C
parameter: V GS
60
6 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = (I D); T j = 25 °C
parameter: V GS
200
180
50
10 V
40
7V
30
6.5 V
20
160
140
5.5 V
120
100
6V
6.5 V
6V
10
5.5 V
5V
0
012345
V DS [V]
80
60
40
0
7V
10 V
10 20
I D [A]
30
7 Typ. transfer characteristics
I D = f(V GS); V DS = 6V
parameter: T j
50
8 Typ. Forward transconductance
g fs = f(I D); T j = 25°C
parameter: g fs
24
40 20
16
30
12
20
8
10
-55 °C
4
25 °C
0 175 °C
0
234567
0
V GS [V]
Rev. 1.0
page 5
10 20
I D [A]
30
2006-07-18
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IPD14N06S2-80 | Power-Transistor | Infineon Technologies AG |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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