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Número de pieza | 2SB1184 | |
Descripción | Power Transistor | |
Fabricantes | Galaxy Microelectronics | |
Logotipo | ||
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No Preview Available ! Power Transistor
FEATURES
z Low VCE(sat).
VCE(sat)=-0.5V(Typ)(IC/IB=-2A/-0.2A)
z Complements the 2SD1760.
APPLICATIONS
z Epitaxial planar type.
z PNP silicon transistor.
Pb
Lead-free
Production specification
2SB1184
TO-252
MAXIMUM RATING operating temperature range applies unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Volage
-60 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-50 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current
-3 A
ICP Collector Power Dissipation
-4.5 A
PC Collector Power Dissipation
1W
Tj ,Tstg
Junction and Storage temperature range
-55 to +150
℃
W007
Rev.A
www.gmicroelec.com
1
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com
1 page Power Transistor
PACKAGE INFORMATION
Device
Package
Shipping
2SB1184 TO-252
80PCS/Tube
2500PCS/Tape&Reel
Production specification
2SB1184
W007
Rev.A
www.gmicroelec.com
5
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com
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PDF Descargar | [ Datasheet 2SB1184.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
2SB1180 | Silicon PNP Epitaxial Planar Type | Panasonic |
2SB1180A | Silicon PNP Epitaxial Planar Type | Panasonic |
2SB1181 | Power Transistor | ROHM Semiconductor |
2SB1181 | Power Transistor | Kexin |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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