(PDF) FHF5N60 Datasheet - N-channel enhancement mode power MOS field Effect transistors

Número de pieza	FHF5N60
Descripción	N-channel enhancement mode power MOS field Effect transistors
Fabricantes	Feihonltd
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No Preview Available ! Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com 产品描述 FHF5N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。产品特点 ★ 5A,600V，RDS(on)(典型值）1.97Ω ★ 低电荷、低反向传输电容 ★ 开关速度快 FHF5N60说明书极限值（TC=25℃）参数名称漏极—源极电压漏极电流 @TC=25℃ 栅源电压耗散功率 @TC=25℃ 结温储存温度符号 VDS ID VGS PD TJ Tstg 特性参数值（TC=25℃）数值 600 5 ±30 40 150 -55～150 单位 V A V W ℃ ℃ 参数说明符号测试条件漏源反向电压 BVDSS VGS=0V, ID=250µA 漏源截止电流 IDSS VDS =600V, VGS= 0V 栅源截止电流 IGSS(F/R) VGS = ±30V,VDS= 0V 通态电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=2A 栅源极开启电压源漏二极管正向导通压降 VGS(th) VFSD VDS = VGS, ID = 250µA IS=4A,VGS=0V 最小值 600 —— —— —— 2.0 典型值 —— —— —— 1.97 —— 最大值单位 V— — 1.0 ±100 µA nA 2.4 Ω 4.0 V — — — — 1.4 V 第1页共2页 1 page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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