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PDF 2SC2883 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SC2883
Descripción TRANSISTOR
Fabricantes Jin Yu Semiconductor　
Logotipo Jin Yu Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SC2883 Hoja de datos, Descripción, Manual

2SC2883
TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
Low voltage
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
VEBO
IC
PC
TJ
Tstg
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
30
30
5
1.5
0.5
150
-55-150
Units
V
V
V
A
W
℃
℃
SOT-89
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1
2
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol Test conditions
V(BR)CBO IC=1mA,IE=0
V(BR)CEO IC=10mA,IB=0
V(BR)EBO IE=1mA,IC=0
ICBO
VCB=30V,IE=0
IEBO VEB=5V,IC=0
hFE VCE=2V,IC=0.5A
VCE(sat) IC=1.5A,IB=30mA
VBE VCE=2V,IC=0.5A
fT VCE=2V,IC=500mA
Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz
MIN
30
30
5
100
TYP
120
MAX UNIT
V
V
V
0.1 μA
0.1 μA
320
2V
1V
MHz
40 pF
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
Range
Marking
O
100-200
GO
Y
160-320
GY
JinYu
semiconductor
www.htsemi.com
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SC2880Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTORToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SC2880High Voltage Switching ApplicationsKexin
Kexin
2SC2881Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTORToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SC2881NPN SILICON TRANSISTORUnisonic Technologies
Unisonic Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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