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PDF 2SB1182 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SB1182 | |
| Descripción | Medium Power Transistor | |
| Fabricantes | Kexin | |
| Logotipo |  |
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SMD Type
Medium Power Transistor
2SB1182
Transistors
Features
Low VCE(sat).
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
TO-252
6.50+0.15
-0.15
5.30+0.2
-0.2
2.30+0.1
-0.1
0.50+0.8
-0.7
Unit: mm
0.80+0.1
-0.1
0.127
max
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector current pulse
Collector power dissipation(Tc=25 )
Junction temperature
Storage temperature
Electrical Characteristics Ta = 25
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Output capacitance
Transition frequency
2.3
4.60+0.15
-0.15
0.60+0.1
-0.1
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Rating
-40
-32
-5
-2
-3
10
150
-55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Symbol
Testconditons
BVCBO IC=-50ìA
BVCEO IC=-1mA
BVEBO IE=-50ìA
ICBO VCB=-20V
IEBO VEB=-4V
VCE(sat) IC= -2A, IB= -0.2A
hFE VCE= -3V, IC= -0.5A
fT VCE= -5V, IE=0.5A, f=100MHz
Cob VCB= -10V,IE=0A,f=1MHz
Min Typ Max Unit
-40 V
-32 V
-5 V
-1 ìA
-1 ìA
-0.5 -0.8 V
82 390
100 MHz
50 pF
hFE Classification
Rank
hFE
P
82 180
Q
120 270
R
180 390
www.kexin.com.cn 1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SB1180 | Silicon PNP Epitaxial Planar Type |  Panasonic |
| 2SB1180A | Silicon PNP Epitaxial Planar Type | Panasonic |
| 2SB1181 | Power Transistor |  ROHM Semiconductor |
| 2SB1181 | Power Transistor | Kexin |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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