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PDF 2SB1119 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SB1119
Descripción PNP Silicon Medium Power Transistor
Fabricantes SeCoS 
Logotipo SeCoS Logotipo



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No Preview Available ! 2SB1119 Hoja de datos, Descripción, Manual

Elektronische Bauelemente
2SB1119/2SD1619
PNP Silicon
Medium Power Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-89
D
D1
A
FEATURES
Power dissipation
P CM : 500mW˄Tamb=25ć˅
Collector current
ICM : -1 A
Collector-base voltage





1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
VB(BR)CBO : -25 V
Operating and storage junction temperature range
TJˈTstg: -55ć to +150ć
b1
e
e1
b
Symbol
A
b
b1
c
D
D1
E
E1
e
e1
L
Dimensions In Millimeters
Min Max
1.400 1.600
0.320 0.520
0.360 0.560
0.350 0.440
4.400 4.600
1.400 1.800
2.300 2.600
3.940 4.250
1.500TYP
2.900 3.100
0.900 1.100
C
Dimensions In Inches
Min Max
0.055 0.063
0.013 0.020
0.014 0.022
0.014 0.017
0.173 0.181
0.055 0.071
0.091 0.102
0.155 0.167
0.060TYP
0.114 0.122
0.035 0.043
ELECTRICAL CHARACTERISTICS˄Tamb=25ć unlessotherwise specified˅CLASSIFICATION OF hFE(1)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO Ic=-10­A ˈIE=0
-25
V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -1 mA , IB=0
-25
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO IE= -10 ­AˈIC=0
-5
V
Collector cut-off current
ICBO VCB= -20 V , IE=0
-0.1 ­A
Collector cut-off current
ICEO VCE= -20 V , IB=0
-0.1 ­A
Emitter cut-off current
IEBO VEB=-4V , IC=0
-0.1 ­A
DC current gain
hFE˄1˅
hFE˄2˅
VCE= -2V, IC= -50mA
VCE=-2V, IC= -1A
100
40
560
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
IC=-0.5A, IB= -50mA
-0.7 V
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
VBE(sat)
fT
IC=-0.5A, IB= -50mA
VCE= -10V, IC=-50mA
-1.2 V
180 MHz
Collector output capacitance
Marking 2SB1119 : BB
2SD1619 : DB
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
R
Cob VCB=-10V, f = 1MH
25 pF
S TU
Range
100-200
140-280
200-400
280-560
http://www.SeCoSGmbH.com
01-Jun-2002 Rev. A
Any changing of specification will not be informed individual
Page 1 of 3
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SB1110(2SB1109 / 2SB1110) SILICON PNP EPITAXIAL (LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER)Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
2SB1114PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORNEC
NEC
2SB1114TransistorKexin
Kexin
2SB1115PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLDNEC
NEC

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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