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Número de pieza | 2N3553 | |
Descripción | Silicon planar epitaxial overlay transistor | |
Fabricantes | NXP Semiconductors | |
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DATA SHEET
2N3553
Silicon planar epitaxial
overlay transistor
Product specification
Supersedes data of October 1981
File under Discrete Semiconductors, SC08a
1995 Oct 27
1 page Philips Semiconductors
Silicon planar epitaxial
overlay transistor
Product specification
2N3553
APPLICATION INFORMATION
RF performance at Tmb = 25 °C.
f
VCE
Po
Gp
η
(MHz)
(V)
(W) (dB) (%)
175 28 2.5 >10 >50
Ruggedness
The transistor is capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR = 3 : 1 varied through all phases,
under the conditions: VCE = 28 V; f = 175 MHz; Tmb = 25 °C; Po = 2.5 W.
handbook, full pagewidth
input
50 Ω
+VCC
L3
C1 L1
DUT
C2 L2
(1)
C5
C3
L4
C4
output
50 Ω
MGC926
(1) The length of the external emitter wire is 1.6 mm.
Fig.6 Test circuit at 175 MHz.
1995 Oct 27
5
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PDF Descargar | [ Datasheet 2N3553.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
2N3550 | Small Signal Transistors | Central Semiconductor |
2N3553 | Silicon planar epitaxial overlay transistor | NXP Semiconductors |
2N3553 | HIGH FREQUENCY TRANSISTOR | Motorola Semiconductors |
2N3553 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR | Seme LAB |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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