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PDF 2SC3659 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SC3659 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistors | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SC3659
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: VCES= 1700V (Min)
·Built-in Damper Didoe
APPLICATIONS
·Designed for high voltage, high power switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCES
Collector-Emitter Voltage
1700
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6V
IC Collector Current- Continuous 8 A
Collector Power Dissipation
PC @ TC=25℃
50 W
TJ Junction Temperature
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-45~150
℃
isc Website：www.iscsemi.cn
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SC3650 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor |  Sanyo Semicon Device |
| 2SC3650 | Transistor |  Kexin |
| 2SC3650 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |  SeCoS |
| 2SC3650 | Transistor |  Jin Yu Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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