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PDF GLBCX53 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GLBCX53 | |
| Descripción | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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ISSUED DATE :2005/08/18
REVISED DATE :2005/11/21B
GLBCX53
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Description
The GLBCX53 is designed for use in driver stages of audio amplifiers and medium power general purpose
amplification.
Features
Collector-Emitter Voltage: VCEO=-80V
Complementary to GLBCP56
Package Dimensions
SOT-223
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature Range
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
TsTG
VCBO
VCEO
Emitter to Base Voltage
Collect Current(DC)
VEBO
IC
Total Power Dissipation
PD
Electrical Characteristics (Ta = 25 )
Symbol
Min.
Typ.
Max.
BVCBO
-100
-
-
BVCEO
-80 -
-
BVEBO
-5 -
-
ICBO
- - -100
IEBO
- - -100
*VCE(sat)1
- - -500
*VBE(on)
- - -1000
*hFE1
63 -
-
*hFE2
63 - 250
*hFE3
40 -
-
fT
100 -
-
Classification Of hFE2
Rank
A
Range
63 - 160
B
100 - 250
http://www.DataSheet4U.net/
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
mV
MHz
REF.
A
C
D
E
I
H
Millimeter
Min. Max.
6.70 7.30
2.90 3.10
0.02 0.10
0° 10°
0.60 0.80
0.25 0.35
REF.
B
J
1
2
3
4
5
Millimeter
Min. Max.
13°TYP.
2.30 REF.
6.30 6.70
6.30 6.70
3.30 3.70
3.30 3.70
1.40 1.80
Ratings
+150
-65 ~ +150
-100
-80
-5
1
1.5
Unit
V
V
V
A
W
Test Conditions
IC=-100uA, IE=0
IC=-1mA, IB=0
IE=-10uA, IC=0
VCB=-30V, IE=0
VEB=-5V, IC=0
IC=-500mA, IB=-50mA
IC=-500mA, VCE=-2V,
VCE=-2V, IC=-5mA
VCE=-2V, IC=-150mA
VCE=-2V, IC=-500mA
VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
2%
GLBCX53
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datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GLBCX53 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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