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PDF GLBCP56 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GLBCP56 | |
| Descripción | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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ISSUED DATE :2002/11/20
REVISED DATE :2006/01/02D
GLBCP56
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Description
The GLBCP56 is designed for use in audio amplifiers and medium power amplifications.
Features
Collector-Emitter Voltage: VCEO=80V
Complementary to GLBCX53
Package Dimensions
SOT-223
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Junction Temperature
Symbol
Tj
Storage Temperature Range
Collector to Base Voltage
TsTG
VCBO
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collect Current(DC)
VCEO
VEBO
IC
Total Power Dissipation
PD
Electrical Characteristics (Ta = 25 )
Symbol
Min.
Typ.
Max.
BVCBO
100 -
-
BVCEO
80 -
-
BVEBO
5- -
ICBO
- - 100
IEBO
- - 100
*VCE(sat)1
- - 500
*VBE(on)
- - 1000
*hFE1
63 -
-
*hFE2
63 - 250
*hFE3
40 -
-
fT
100 -
-
Classification Of hFE2
Rank
10
Range
63 - 160
16
100 - 250
http://www.DataSheet4U.net/
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
mV
MHz
REF.
A
C
D
E
I
H
Millimeter
Min. Max.
6.70 7.30
2.90 3.10
0.02 0.10
0° 10°
0.60 0.80
0.25 0.35
REF.
B
J
1
2
3
4
5
Millimeter
Min. Max.
13°TYP.
2.30 REF.
6.30 6.70
6.30 6.70
3.30 3.70
3.30 3.70
1.40 1.80
Ratings
+150
-65 ~ +150
100
80
5
1
1.5
Unit
V
V
V
A
W
Test Conditions
IC=100uA, IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10uA, IC=0
VCB=30V, IE=0
VEB=5V, IC=0
IC=500mA, IB=50mA
IC=500mA, VCE=2V,
VCE=2V, IC=5mA
VCE=2V, IC=150mA
VCE=2V, IC=500mA
VCE=5V, IC=10mA
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
2%
GLBCP56
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datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GLBCP56 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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