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PDF RJP30H1DPD Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza RJP30H1DPD
Descripción N-Channel Power MOSFET / Transistor
Fabricantes Renesas 
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No Preview Available ! RJP30H1DPD Hoja de datos, Descripción, Manual

RJP30H1DPD
Silicon N Channel IGBT
High speed power switching
Features
Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ.
Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V typ.
Low leak current: ICES = 1 A max.
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZJ-A
(Package name : TO-252)
4
C
12 3
G
E
Preliminary Datasheet
R07DS0465EJ0200
Rev.2.00
Jun 15, 2011
1. Gate
2. Collector
3. Emitter
4. Collector (Flange)
Absolute Maximum Ratings
Item
Collector to emitter voltage
Gate to emitter voltage
Collector current
Collector peak current
Collector dissipation
Junction to case thermal impedance
Junction temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW 10 s, duty cycle 1%
2. Tc = 25C
www.DataSheet.co.kr
Symbol
VCES
VGES
IC
ic(peak) Note1
PC Note2
j-c
Tj
Tstg
Ratings
360
±30
30
200
40
3.13
150
–55 to +150
(Tc = 25°C)
Unit
V
V
A
A
W
°C/W
°C
°C
R07DS0465EJ0200 Rev.2.00
Jun 15, 2011
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RJP30H1DPD pdf
RJP30H1DPD
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
10
Tc = 25°C
3
1 D=1
0.5
0.3 0.2
0.1
0.1 0.05
0.03
0.02
0.01
1shot pulse
0.01
PDM
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (s)
D=
PW
T
1 10
Preliminary
Switching Time Test Circuit
Ic Monitor
Vin Monitor
RL
Rg
Vin = 15 V
D.U.T.
VCC
Waveform
90%
Vin
www.DataSheet.co.kr
10%
90%
90%
Ic
td(on)
10%
tr
ton
td(off)
10%
tf
toff
R07DS0465EJ0200 Rev.2.00
Jun 15, 2011
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
RJP30H1DPDN-Channel Power MOSFET / TransistorRenesas
Renesas
RJP30H1DPP-M0N-Channel Power MOSFET / TransistorRenesas
Renesas

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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