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PDF RJP30E2DPP-M0 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza RJP30E2DPP-M0
Descripción N-Channel Power MOSFET / Transistor
Fabricantes Renesas 
Logotipo Renesas Logotipo



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No Preview Available ! RJP30E2DPP-M0 Hoja de datos, Descripción, Manual

RJP30E2DPP-M0
Silicon N Channel IGBT
High Speed Power Switching
Features
Trench gate technology (G5H series)
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ
High speed switching tf = 150 ns typ
Low leak current ICES = 1 μA max
Isolated package TO-220FL
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AF-A)
(Package name: TO-220FL)
Preliminary Datasheet
R07DS0347EJ0200
Rev.2.00
Apr 12, 2011
C
1
23
1. Gate
2. Collector
G 3. Emitter
E
Absolute Maximum Ratings
Item
Collector to emitter voltage
Gate to emitter voltage
Collector current
Collector peak current
Collector dissipation
Junction to case thermal impedance
Junction temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW 10 μs, duty cycle 1%
2. Tc = 25°C
www.DataSheet.co.kr
Symbol
VCES
VGES
Ic
ic(peak) Note1
PC Note2
θj-c
Tj
Tstg
Ratings
360
±30
35
200
25
5
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
W
°C/ W
°C
°C
R07DS0347EJ0200 Rev.2.00
Apr 12, 2011
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RJP30E2DPP-M0 pdf
RJP30E2DPP-M0
Preliminary
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
10
3
D=1
1
0.5
0.3
0.1
0.03
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.003
0.01
1shot
pulse
0.001
Tc = 25°C
PDM
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (s)
D=
PW
T
1 10
Switching Time Test Circuit
Ic Monitor
Vin Monitor
RL
Rg
Vin = 15 V
D.U.T.
VCC
Waveform
90%
Vin 10%
www.DataSheet.co.kr
Ic
td(on)
90%
10%
tr
ton
td(off)
90%
10%
tf
toff
R07DS0347EJ0200 Rev.2.00
Apr 12, 2011
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
RJP30E2DPP-M0N-Channel Power MOSFET / TransistorRenesas
Renesas

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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